这一击直拳势大力沉 SAML和台积电遭致命重创

当今世界最重要的元素不过是石油、钢铁、粮食、芯片、稀土。

石油、粮食、芯片的重要性众所皆知。如果说钢铁被称为工业的粮食、芯片被称为工业的大脑，稀土则被誉为“工业的维生素”，稀土17种金属元素、尤其是7种重金属元素，在工业中具有不可替代的作用，尤其是在冶金、电子、光学和新能源等领域。

现在，中国在上述领域均有重大突破。

石油领域，俄罗斯坚持要求印度购买俄石油必须用人民币支付，印度硬抗了没多久，面对现实不得不低头，终于同意用人民币结算印俄石油贸易。人民币在石油美元中打入一个楔子。

钢铁领域，中国开拓了多元化进口渠道后，对澳方摊牌：今后要么用人民币结算，要么双方终止所有铁矿石采购合作。这个强硬的态度让澳铁矿石巨头“必和必拓”措手不及，硬抗了几天后，面对堆积成山的铁矿石时，中国与妥协，同意与中国的铁矿石交易改以人民币结算。

粮食领域，其中大豆是中国大量需求的，过去主要从美国进口（占美国大豆出口的60%），当中国开辟了巴西、阿根廷、俄罗斯、澳大利亚多个渠道后，拒绝进口美国大豆。结果美国大豆堆积如山，失去定价权。

半导体方面，中国已经占据成熟芯片的逾三分之一，预计2028年将超过40%，超过台积电成为世界第一。而且用DUV叠加技术，制造出7奈米芯片。DUV光刻机制造也成功在望。但是美国联合荷兰、日本在光刻机、7奈米以下先进芯片和半导体材料方面对中国实施制裁。

现在，中国直接摊牌，释出核弹级别的资源和技术核弹：全面管控稀土技术！

**中国国庆假期刚过，中国公布对稀土相关技术出口管制新规。**新规涵盖稀土资源、从开采、提炼、制造、二次资源回收利用的设备、技术及相关资料等数据和机构、技术人员，还包括贸易性出口以及通过知识产权许可、投资、交流……各个环节的二级管控。

还特别强调严控“磁材制造”技术，包括钐钴、钕铁硼、铈磁体制造技术等。

稀土技术管控的底线：①为中国技术的0.1%！（中国所产稀土占产品价值0.1%以上，须向中方申请许可）②海外军事用途的稀土出口“将不予放行”！

此外，中国还将严管芯片所需稀土技术。包括规范逻辑芯片、存储芯片、具潜在军事用途的人工智能须逐案审批。

今年4月，中国对17种稀土中的七种及其制成的磁体实施出口管制。新规范围更广，部分条款涵盖了所有稀土品类。数据显示，2024年中国稀土生产量占全球7成，7种重金属元素占99%。

为加强管制，早在几个月前，中国政府已经已经严控任何稀土制造设备出境，并对稀土行业的技术人员实施管控。

稀土从资源管控跃升至技术管制，并且全覆盖。

这种密不透风的严苛管制，包括从美国师傅那里学来的“长臂管辖”，以其人之道还治其人之身，将严重打击美西方（包括中国台湾）军事、经济和科技产业。

中国此举被称为稀土核弹和技术核弹，因此被称为中国掀桌子或对美西方全面摊牌。也有自身分析家说：中国打出扑克牌中的绝张，除非美国拿出对等筹码（EUV光刻机、先进芯片）交换，否则此局无解！

美国专家指出，“中国正在采取强硬手段。”“使北京得以完全掌控全球人工智能和现代电子产品的供应链”。

外界认为，中国稀土新规将沉重打击包括ASML、台积电、英伟达和苹果在内的全球半导体供应链。

且不说中国的稀土技术管制将严重影响美西方军工入F-35战斗机和导弹、航空、发动机、汽车、无人机、工业机器人和海上风力发电机中的电机……

更将严重打击美西方主导的半导体产业，ASML、台积电的半导体垄断地位将难以为继。

从光刻机运转，到芯片制造中材料抛光，再到前沿过程的介质优化，稀土以其独特的物理化学特性，深度嵌入半导体产业链的每一个环节，成为驱动半导体产业升级的隐形引擎。

从ASML设备制造的精密运动控制，到材料制备的核心耗材，再到先进制程的制程优化，稀土已成为支撑半导体产业向微型化、高性能化发展的战略基础。

中国稀土管制新规对SAML光刻机的打击

光刻机是半导体制造的核心设备，堪称“工业皇冠上的明珠”，其运行精度直接决定芯片制程的上限。以极紫外 (EUV) 微影机为例，晶圆台与光罩台需实现每小时超百片晶圆的奈米级扫描，此功能的核心在于无摩擦直线马达与磁浮系统，而这些系统的驱动力与强磁场，正是由钕铁硼 (NdFeB) 永磁体提供。

单台 EUV 光刻机需搭载数十公斤NdFeB 磁钢，其中钕 (Nd) 作为主成分赋予磁铁超高磁能积，镝 (Dy)、铽 (Tb) 则透过调节居里温度，确保磁体在高速运转中保持稳定，避免高温退磁。

如果缺少稀土永磁体，当代光刻设备的精密运动功能将完全失效。类似的场景也出现在离子注入机、蚀刻机的运动平台与涡轮分子帮浦马达中，NdFeB 永久磁铁支撑的磁浮技术，让晶圆传送与设备驱动更有效率。

除运动控制外，稀土也深度参与光刻机的光源与光学系统。尽管 EUV 主光源不依赖稀土介质，但其辅助激光器普遍采用钕掺杂钇铝石榴石 (Nd:YAG) 晶体，其中的 Nd³⁺离子能输出高功率激光，经频率转换后满足晶圆定位、对准的高精度检测需求。

美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室开发的铥 (Tm) 激光器，更试图透过 Tm³⁺离子产生的 2μm 激光，将 EUV 光源效率提升 10倍，为降低成本提供可能。

此外，光刻机的光学隔离器核心材料铽镓石榴石 (TGG) 晶体，依赖铽 (Tb) 的强法拉第磁光效应，确保雷射单向通过，是深紫外线雷射稳定运行的“防护盾”。

中国稀土管制新规显然将沉重打击ASML！

中国稀土管制新规对台积电制造先进芯片的打击

稀土是制造芯片的关键原料，对先进半导体制造至关重要，包括多种类型的存储芯片和逻辑芯片。

台积电垄断了先进芯片的大多数市场。其半导体制程正在向 3 奈米、2 奈米推进，它在美国投资建厂的主要制程正是3奈米、2奈米。

而稀土在先进制程的作用更加凸出。

传统二氧化硅 (SiO₂) 栅介质因漏电问题难以为继，产业转而采用铪、锆基高介电常数材料，并透过掺杂镧 (La)、钇进一步优化性能，例如在氧化铕 (HfO₂) 表面沉积氧化镧 (La₂O₃)，经退火后镧扩散至介质 / 硅界面，产生界面偶极效应，降低晶体管阈值电压，满足低功耗、高速度需求。

根据新规，全球主要先进逻辑芯片制造商台积电以及韩国的存储芯片制造商SK海力士和三星等企业均需逐一申请报批。批与不批，决定权在中国。台积电、三星这些芯片制造巨头如果再对中国禁售，后果是什么，可想而知。

海外业内人士认为，如果中国严格管制上述稀土重金属元素，台积电、三星将寸步难行，很多目标都达不到，至少要大大推迟。

中国稀土管制新规对芯片制造材料产业的重大影响

在半导体材料与耗材领域，稀土的应用同样关键。

极难提纯的超纯镝，被用于芯片中以确保其在高温环境下保持磁稳定性，如芯片电流调节装置（即电容器）的材料，依靠稀土镝提升耐热性能。而全球99%的镝元素精炼产能集中在中国。

稀土掺杂半导体材料展现出独特潜力。铕 (Eu³⁺) 的 4f 电子能阶跃迁可制备高色纯度发光薄膜，与硅基 CMOS 制程兼容，为硅基光电整合提供光源方案。

化学机械抛光 (CMP) 是晶圆平坦化的核心工艺。其中氧化铈 (CeO₂) 研磨剂因独特的可变价态 (Ce³⁺/Ce⁴)，能与二氧化硅 (SiO₂) 表面反应生成易去除的铈硅酸盐，不仅提升材料去除速率，更能精准选择氧化物层，避免侵蚀硅氮化物等周边材料，成为浅沟隔离（STI）制程的“标准配置”。

蚀刻机腔体零件则依赖氧化钇 (Y₂O₃) 或氟化钇 (YF₃) 涂层；钇 (Y) 的氧化物在氟等离子环境中产生致密 YF₃保护层，将零件寿命延长数倍，成为主流蚀刻设备的“耐用秘诀”。

更值得关注的是，铝钪 (AlSc) 合金靶材用于沉积 5G 射频 BAW 滤波器的核心AlScN 薄膜，钕 (Nd)、镨 (Pr) 靶材辅助磁阻随机存取内存 (MRAM) 的磁性层制备，六方晶系铝酸镁钪 (SCAM) 基板则透过匹配 GaN、ZnO 的晶格常数，解决了外延生长中的缺陷难题，为高频装置与功率装置制造开辟新路径。

稀磁半导体 (DMS) 透过掺杂变薄或过渡金属，操纵基光电整合提供光源方案，并操纵有高电结构器与结构电能驱动器电结构的结构能电能发射器。

显然，从光刻机设备核心零件到材料关键组分，从成熟制程优化到尖端技术探索，稀土已深度融入半导体产业全链条。它不仅是 EUV 光刻机实现奈米级精度的“动力来源”，是 CMP 抛光提升良率的“魔法粉”，更是先进制程突破漏电瓶颈、推动 5G 射频与自旋电子器件创新的“隐形推手”。

在全球半导体供应链不确定性加剧的背景下，稀土的战略价值进一步凸显。如果说没有芯片，将延迟工业和信息化进步步伐，那么，没有稀土，全球工业和信息产业将停摆。

可以，毫不夸大地说，中国稀土管制新规将开创全球产业链、包括半导体产业链充重组新纪元。

美国、荷兰的ASM、台积电、日本半导体材料商在封杀中国半导体时，需要好好掂量掂量！